Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IXTP80N10T

IXTP80N10T

IXTA80N10T.pdf
Produktcode: 46876
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IXTP80N10T nach Preis ab 2.78 EUR bis 8.51 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS IXTA(P)80N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
19+4.52 EUR
24+3.56 EUR
50+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T IXTP80N10T Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5.15 EUR
50+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXTP80N10T_Datasheet.PDF MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.51 EUR
10+4.38 EUR
100+3.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS IXTA80N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
auf Bestellung 16602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.51 EUR
50+4.37 EUR
100+3.96 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.03 EUR
2000+2.86 EUR
5000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T IXTA(P)80N10T.pdf
IXTP80N10T
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
19+4.52 EUR
24+3.56 EUR
50+3.06 EUR
Mindestbestellmenge: 19 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T media.pdf
IXTP80N10T
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+5.15 EUR
50+4.34 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXTP80N10T_Datasheet.PDF
IXTP80N10T
Hersteller: IXYS
MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.51 EUR
10+4.38 EUR
100+3.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTP80N10T IXTA80N10T.pdf
IXTP80N10T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
auf Bestellung 16602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.51 EUR
50+4.37 EUR
100+3.96 EUR
500+3.26 EUR
1000+3.03 EUR
2000+2.86 EUR
5000+2.78 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH