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IXTP80N10T

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Produktcode: 46876
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IXTP80N10T IXTP80N10T Hersteller : IXYS IXTA(P)80N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
auf Bestellung 60 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
19+3.8 EUR
24+2.99 EUR
50+2.57 EUR
Mindestbestellmenge: 19
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IXTP80N10T IXTP80N10T Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
auf Bestellung 56 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
35+4.23 EUR
50+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 35
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IXTP80N10T IXTP80N10T Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXTP80N10T_Datasheet.PDF MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
auf Bestellung 103 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.15 EUR
10+3.68 EUR
100+3.26 EUR
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IXTP80N10T IXTP80N10T Hersteller : IXYS IXTA80N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
auf Bestellung 16602 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+7.15 EUR
50+3.67 EUR
100+3.33 EUR
500+2.74 EUR
1000+2.55 EUR
2000+2.4 EUR
5000+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXTP80N10T IXTP80N10T Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 1 Stücke:
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IXTP80N10T IXTP80N10T Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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IXTP80N10T Hersteller : Littelfuse IXTA80N10T.pdf MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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