IXTP80N10T Ixys Corporation
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| 33+ | 4.41 EUR |
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Technische Details IXTP80N10T Ixys Corporation
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.
Weitere Produktangebote IXTP80N10T nach Preis ab 2.42 EUR bis 5.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTP80N10T | Hersteller : IXYS |
 MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds |
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IXTP80N10T | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9902 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP80N10T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
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| IXTP80N10T | Hersteller : IXYS |
IXTP80N10T THT N channel transistors |
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IXTP80N10T Produktcode: 46876
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXTP80N10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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IXTP80N10T | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
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