
IXTP80N10T IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 230W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 127 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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19+ | 3.92 EUR |
27+ | 2.67 EUR |
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Technische Details IXTP80N10T IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.
Weitere Produktangebote IXTP80N10T nach Preis ab 2.43 EUR bis 5.03 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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IXTP80N10T | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Case: TO220AB Polarisation: unipolar On-state resistance: 14mΩ Power dissipation: 230W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Reverse recovery time: 100ns Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 127 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTP80N10T | Hersteller : Ixys Corporation |
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auf Bestellung 202 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP80N10T | Hersteller : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9910 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP80N10T | Hersteller : IXYS |
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auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTP80N10T | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTP80N10T Produktcode: 46876
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IXTP80N10T | Hersteller : Littelfuse |
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IXTP80N10T | Hersteller : Littelfuse |
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