IXTP8N65X2M Littelfuse Inc.
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.7 EUR |
| 50+ | 3.84 EUR |
| 100+ | 3.3 EUR |
| 500+ | 2.37 EUR |
| 1000+ | 2.25 EUR |
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Technische Details IXTP8N65X2M Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IXTP8N65X2M | IXYS |
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS |
auf Bestellung 87 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTP8N65X2M |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
auf Bestellung 87 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 8.68 EUR |
| 10+ | 4.46 EUR |
| 100+ | 3.89 EUR |
| 500+ | 3.53 EUR |