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IXTP90N055T2

IXTP90N055T2 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3811CE45AD820&compId=IXTA(I%2CP%2CY)90N055T2.pdf?ci_sign=83350302222346af53b5f252798d3bbf488768ce Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Drain current: 90A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 37ns
Drain-source voltage: 55V
auf Bestellung 292 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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Technische Details IXTP90N055T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D3811CE45AD820&compId=IXTA(I%2CP%2CY)90N055T2.pdf?ci_sign=83350302222346af53b5f252798d3bbf488768ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Drain current: 90A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 42nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 37ns
Drain-source voltage: 55V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 Hersteller : IXYS media-3322040.pdf MOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds
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IXTP90N055T2 Hersteller : Ixys Corporation littelfuse-discrete-mosfets-ixt-90n055t2-datasheet?assetguid=9b1b04f2-0e89-452f-ada4-b4c85bbb26c6 Trans MOSFET N-CH 55V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220
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IXTP90N055T2
Produktcode: 172517
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littelfuse-discrete-mosfets-ixt-90n055t2-datasheet?assetguid=9b1b04f2-0e89-452f-ada4-b4c85bbb26c6 Transistoren > MOSFET N-CH
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IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
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IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-90n055t2-datasheet?assetguid=9b1b04f2-0e89-452f-ada4-b4c85bbb26c6 Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
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