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IXTQ130N10T

IXTQ130N10T IXYS

DS99708AIXTHIXTQ130N10T.pdf Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
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Anzahl Preis
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120+4.54 EUR
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Technische Details IXTQ130N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V.

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IXTQ130N10T IXTQ130N10T Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_130N10T_2of2_Datasheet.PDF MOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
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IXTQ130N10T Hersteller : Littelfuse ets_n-channel_trench_gate_ixt_130n10t_2of2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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IXTQ130N10T IXTQ130N10T Hersteller : Littelfuse discretemosfetsnchanneltrenchgateixt130n10t2of2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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