IXTQ150N15P IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150, Dauer-Drainstrom Id: 150, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 714, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 714, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).