IXTQ150N15P Littelfuse Inc.
Hersteller: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
auf Bestellung 429 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 15.93 EUR |
| 30+ | 11.48 EUR |
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Technische Details IXTQ150N15P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 714W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IXTQ150N15P nach Preis ab 71.50 EUR bis 71.50 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IXTQ150N15P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P Case: TO3P Reverse recovery time: 150ns Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 714W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.19µC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ150N15P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P Case: TO3P Reverse recovery time: 150ns Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 714W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.19µC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ150N15P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 150 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 714 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 714 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ150N15P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTQ150N15P | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 150 Amps 150V 0.013 Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |