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IXTQ200N10T

IXTQ200N10T IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Trench_Gate_-1856310.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
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Technische Details IXTQ200N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 550W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.

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IXTQ200N10T IXTQ200N10T Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
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IXTQ200N10T IXTQ200N10T
Produktcode: 103720
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littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
ZCODE: 8541290010
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IXTQ200N10T Hersteller : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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