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IXTQ22N50P

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IXTQ22N50P IXTQ22N50P Hersteller : IXYS IXTH(Q,V)22N50P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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11+6.99 EUR
13+5.72 EUR
15+5.09 EUR
30+4.46 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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IXTQ22N50P IXTQ22N50P Hersteller : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-22n50p-datasheet?assetguid=aa88a2b6-6037-4575-9c3c-a71212b980d4 Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
auf Bestellung 307 Stücke:
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2+10.49 EUR
30+6.02 EUR
120+5.03 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IXTQ22N50P IXTQ22N50P Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_22N50P_Datasheet.PDF MOSFETs 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds
auf Bestellung 672 Stücke:
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Anzahl Preis
1+11.69 EUR
10+6.86 EUR
120+5.95 EUR
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IXTQ22N50P IXTQ22N50P Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 390 Stücke:
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