IXTQ22N50P IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 350W
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
On-state resistance: 0.27Ω
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 22A
auf Bestellung 111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 10+ | 7.15 EUR |
| 16+ | 4.53 EUR |
| 17+ | 4.29 EUR |
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Technische Details IXTQ22N50P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTQ22N50P nach Preis ab 4.13 EUR bis 10.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IXTQ22N50P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 22A; 350W; TO3P; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 350W Case: TO3P Mounting: THT Kind of package: tube On-state resistance: 0.27Ω Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 50nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 22A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 111 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ22N50P | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds |
auf Bestellung 466 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTQ22N50P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V |
auf Bestellung 65 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTQ22N50P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 208 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ22N50P Produktcode: 188888
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXTQ22N50P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
Produkt ist nicht verfügbar |