IXTQ40N50L2 IXYS
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 42.88 EUR |
| 30+ | 27.14 EUR |
| 120+ | 23.7 EUR |
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Technische Details IXTQ40N50L2 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, Dauer-Drainstrom Id: 40, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 540, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 540, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTQ40N50L2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXTQ40N50L2 | IXYS |
MOSFETs 40 Amps 500V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXTQ40N50L2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 40A Power dissipation: 540W Case: TO3P On-state resistance: 0.17Ω Mounting: THT Gate charge: 0.32µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.5µs Features of semiconductor devices: linear power mosfet |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXTQ40N50L2 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 40 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 540 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 540 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTQ40N50L2 |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs 40 Amps 500V
MOSFETs 40 Amps 500V
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| IXTQ40N50L2 |
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 40A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 40A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.17Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.32µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
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| IXTQ40N50L2 |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ40N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.17 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 540
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 540
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
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