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IXTQ50N20P

IXTQ50N20P IXYS

IXTA50N20P-DTE.pdf
Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
auf Bestellung 213 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+7.68 EUR
15+5.83 EUR
30+5.24 EUR
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Technische Details IXTQ50N20P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 360W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHT, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTQ50N20P IXTQ50N20P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_50N20P_Datasheet.PDF MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
auf Bestellung 333 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.77 EUR
10+6.28 EUR
120+5.43 EUR
510+4.96 EUR
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IXTQ50N20P IXTQ50N20P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n20p-datasheet?assetguid=93310175-2371-43af-9c53-8351f9872220 Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
auf Bestellung 1564 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.19 EUR
30+6.37 EUR
120+5.31 EUR
510+4.53 EUR
1020+4.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IXTQ50N20P IXTQ50N20P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n20p-datasheet?assetguid=93310175-2371-43af-9c53-8351f9872220 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXTQ50N20P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_50N20P_Datasheet.PDF
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Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
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IXTQ50N20P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 360W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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