IXTQ52N30P IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 52A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
Kind of package: tube
auf Bestellung 199 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 10+ | 7.94 EUR |
| 13+ | 5.68 EUR |
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Technische Details IXTQ52N30P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTQ52N30P nach Preis ab 5.16 EUR bis 8.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IXTQ52N30P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 52A Power dissipation: 400W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 250ns Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 199 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ52N30P | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds |
auf Bestellung 534 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTQ52N30P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
auf Bestellung 196 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ52N30P Produktcode: 143359
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Lieblingsprodukt
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXTQ52N30P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTQ52N30P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V |
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