Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IXTQ52N30P

IXTQ52N30P

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
Produktcode: 143359
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IXTQ52N30P nach Preis ab 8.98 EUR bis 17.55 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTQ52N30P IXTQ52N30P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-52N30P-Datasheet.PDF MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+17.55 EUR
10+11.14 EUR
120+9.12 EUR
510+8.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52N30P IXTQ52N30P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52N30P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-52N30P-Datasheet.PDF
IXTQ52N30P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+17.55 EUR
10+11.14 EUR
120+9.12 EUR
510+8.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXTQ52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
IXTQ52N30P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH