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Technische Details IXTQ52N30P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Weitere Produktangebote IXTQ52N30P nach Preis ab 5.19 EUR bis 8.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IXTQ52N30P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
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| IXTQ52N30P | Hersteller : IXYS |
IXTQ52N30P THT N channel transistors |
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IXTQ52N30P Produktcode: 143359
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IXTQ52N30P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTQ52N30P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |