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Technische Details IXTQ52P10P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTQ52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-3P, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Weitere Produktangebote IXTQ52P10P nach Preis ab 5.59 EUR bis 14.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||
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IXTQ52P10P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2683 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTQ52P10P | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTQ52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-3P tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTQ52P10P | Hersteller : IXYS |
IXTQ52P10P THT P channel transistors |
auf Bestellung 383 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IXTQ52P10P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
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