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Technische Details IXTQ64N25P IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO3P, Mounting: THT, Power dissipation: 400W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 105nC, Technology: PolarHT™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Case: TO3P, Reverse recovery time: 200ns, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 64A, On-state resistance: 49mΩ, Type of transistor: N-MOSFET.
Weitere Produktangebote IXTQ64N25P nach Preis ab 6.41 EUR bis 11.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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IXTQ64N25P | Hersteller : IXYS |
 MOSFETs 64 Amps 250V 0.049 Rds |
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IXTQ64N25P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO3P Mounting: THT Power dissipation: 400W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 105nC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO3P Reverse recovery time: 200ns Drain-source voltage: 250V Drain current: 64A On-state resistance: 49mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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