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IXTQ64N25P

IXTQ64N25P IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_64N25P_Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
MOSFETs 64 Amps 250V 0.049 Rds
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Technische Details IXTQ64N25P IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO3P, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: PolarHT™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 250V, Drain current: 64A, Power dissipation: 400W, Case: TO3P, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 49mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 105nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 200ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTQ64N25P IXTQ64N25P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=3648108F-CB58-47C4-83D1-A903767D64AA&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-64N25P-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
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IXTQ64N25P IXTQ64N25P IXYS IXTQ64N25P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
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IXTQ64N25P IXTQ64N25P Littelfuse telfusediscretemosfetsnchannelstandardixt64n25pdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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Description: MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
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Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
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