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IXTQ69N30P

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Produktcode: 132595
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IXTQ69N30P IXTQ69N30P Hersteller : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-69N30P-Datasheet.PDF?assetguid=A735FD32-1DE5-4F51-B8E1-D7C2EEC3366B Description: MOSFET N-CH 300V 69A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 25 V
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2+17.58 EUR
30+10.5 EUR
120+9.85 EUR
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IXTQ69N30P IXTQ69N30P Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_69N30P_Datasheet.PDF MOSFETs 69 Amps 300V 0.049 Rds
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IXTQ69N30P IXTQ69N30P Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598154-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ69N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 69 A, 0.049 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
auf Bestellung 274 Stücke:
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