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IXTQ69N30P

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IXTQ69N30P IXTQ69N30P Hersteller : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-69N30P-Datasheet.PDF?assetguid=A735FD32-1DE5-4F51-B8E1-D7C2EEC3366B Description: MOSFET N-CH 300V 69A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
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IXTQ69N30P IXTQ69N30P Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_69N30P_Datasheet.PDF MOSFETs 69 Amps 300V 0.049 Rds
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