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Technische Details IXTQ82N25P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXTQ82N25P nach Preis ab 6.88 EUR bis 15.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IXTQ82N25P | Hersteller : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V |
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IXTQ82N25P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTQ82N25P | Hersteller : IXYS |
IXTQ82N25P THT N channel transistors |
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