IXTQ82N25P IXYS
Hersteller: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 82A
Power dissipation: 500W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 169 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 8+ | 9.68 EUR |
| 10+ | 7.22 EUR |
| 30+ | 6.79 EUR |
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Technische Details IXTQ82N25P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 82A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote IXTQ82N25P nach Preis ab 6.79 EUR bis 15.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IXTQ82N25P | Hersteller : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 82A Power dissipation: 500W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Gate charge: 142nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 200ns |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTQ82N25P | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTQ82N25P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTQ82N25P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ82N25P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 82 A, 0.038 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IXTQ82N25P | Hersteller : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 250V 82A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
auf Bestellung 169 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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