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Technische Details IXTR140P10T IXYS
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -110A; 270W; 130ns, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -110A, Power dissipation: 270W, Case: ISOPLUS247™, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 11mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 400nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 130ns, Technology: TrenchP™.
Weitere Produktangebote IXTR140P10T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXTR140P10T | IXYS |
 MOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXTR140P10T | IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -110A; 270W; 130ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -110A Power dissipation: 270W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 400nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 130ns Technology: TrenchP™ |
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| IXTR140P10T |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
MOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
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| IXTR140P10T |
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Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -110A; 270W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -110A
Power dissipation: 270W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Technology: TrenchP™
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -110A; 270W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -110A
Power dissipation: 270W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 400nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 130ns
Technology: TrenchP™
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