IXTR90P20P IXYS
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Power dissipation: 312W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -53A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 48mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Mounting: THT
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Technische Details IXTR90P20P IXYS
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns, Power dissipation: 312W, Gate charge: 205nC, Polarisation: unipolar, Technology: PolarP™, Drain current: -53A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -200V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: ISOPLUS247™, On-state resistance: 48mΩ, Reverse recovery time: 315ns, Mounting: THT.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IXTR90P20P | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247 |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTR90P20P |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
Description: MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)