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IXTR90P20P IXYS

Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247

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Technische Details IXTR90P20P IXYS

Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns, Mounting: THT, Case: ISOPLUS247™, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -200V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 48mΩ, Reverse recovery time: 315ns, Power dissipation: 312W, Gate charge: 205nC, Polarisation: unipolar, Technology: PolarP™, Drain current: -53A.

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Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Privatkunde
	IXTR90P20P	IXYS	Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns Mounting: THT Case: ISOPLUS247™ Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: -200V Type of transistor: P-MOSFET Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 48mΩ Reverse recovery time: 315ns Power dissipation: 312W Gate charge: 205nC Polarisation: unipolar Technology: PolarP™ Drain current: -53A	auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IXTR90P20P

Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -53A; 312W; 315ns
Mounting: THT
Case: ISOPLUS247™
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 48mΩ
Reverse recovery time: 315ns
Power dissipation: 312W
Gate charge: 205nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -53A

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