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IXTT02N450HV

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IXTT02N450HV IXTT02N450HV Hersteller : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-02N450HV-Datasheet.PDF MOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET
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IXTT02N450HV IXTT02N450HV Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXTT02N450HV IXTT02N450HV Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n450hv-datasheet?assetguid=77e78b19-f9d4-4f1c-bb1f-3fed948a23e3 Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V
Power Dissipation (Max): 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V
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IXTT02N450HV IXTT02N450HV Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007923924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: To Be Advised
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IXTT02N450HV IXTT02N450HV Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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