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IXTT02N450HV

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTT02N450HV IXTT02N450HV IXYS IXTA(T)02N450HV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+42.11 EUR
5+37.37 EUR
10+34.36 EUR
30+32.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXTT02N450HV IXTT02N450HV Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 148 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3+58.79 EUR
10+54.05 EUR
30+51.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXTT02N450HV IXTT02N450HV IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_02N450HV_Datasheet.PDF MOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET
auf Bestellung 715 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+61.76 EUR
10+49.6 EUR
120+48.47 EUR
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IXTT02N450HV IXTT02N450HV LITTELFUSE LFSI-S-A0007923924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4+70.38 EUR
5+54.88 EUR
10+41 EUR
50+40.83 EUR
100+40.64 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IXTT02N450HV IXTT02N450HV IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-02n450hv-datasheet?assetguid=77e78b19-f9d4-4f1c-bb1f-3fed948a23e3 Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
auf Bestellung 7413 Stücke:
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30+49.73 EUR
60+46.72 EUR
120+46.34 EUR
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IXTT02N450HV IXTA(T)02N450HV.pdf
IXTT02N450HV
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO268HV; 1.6us
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.6µs
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 625Ω
Power dissipation: 113W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
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AnzahlPrivatkunde
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IXTT02N450HV media.pdf
IXTT02N450HV
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 4.5KV 0.2A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 148 Stücke:
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IXTT02N450HV Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_02N450HV_Datasheet.PDF
IXTT02N450HV
Hersteller: IXYS
MOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET
auf Bestellung 715 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IXTT02N450HV LFSI-S-A0007923924-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTT02N450HV
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTT02N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm
SVHC: To Be Advised
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5+54.88 EUR
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268
auf Bestellung 7413 Stücke:
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30+49.73 EUR
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120+46.34 EUR
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