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IXTT110N10L2.

IXTT110N10L2. LITTELFUSE

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Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTT110N10L2. - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-268
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 560 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+48.71 EUR
10+40.48 EUR
25+36.01 EUR
50+31.54 EUR
100+29.4 EUR
250+27.63 EUR
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Technische Details IXTT110N10L2. LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTT110N10L2. - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-268, tariffCode: 0, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, directShipCharge: 25.