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IXTT16P60P

IXTT16P60P IXYS

IXT_16P60P.pdf
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -16A; 460W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 460W
Gate charge: 92nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -600V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 720mΩ
Reverse recovery time: 440ns
auf Bestellung 101 Stücke:
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Technische Details IXTT16P60P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - Unlimited, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 460W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: P Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, directShipCharge: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTT16P60P IXTT16P60P Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt16p60pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 300 Stücke:
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300+25.49 EUR
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IXTT16P60P IXTT16P60P Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt16p60pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 300 Stücke:
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300+25.72 EUR
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IXTT16P60P IXTT16P60P Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt16p60pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 1200 Stücke:
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30+26.24 EUR
840+25.06 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IXTT16P60P IXTT16P60P Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt16p60pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 1200 Stücke:
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30+26.24 EUR
840+25.61 EUR
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IXTT16P60P IXTT16P60P Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-16P60P-Datasheet.PDF?assetguid=A77013E2-E6CF-4AB2-A85B-2F133B071255 Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+28.11 EUR
30+18.29 EUR
120+15.8 EUR
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IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS media-3322334.pdf MOSFETs -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
auf Bestellung 346 Stücke:
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1+28.17 EUR
10+25.44 EUR
30+21.86 EUR
60+21.85 EUR
120+20.42 EUR
270+19.59 EUR
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IXTT16P60P IXTT16P60P Ixys Corporation littelfusediscretemosfetspchannelixt16p60pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
auf Bestellung 147 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6+32.53 EUR
10+26.48 EUR
30+21.04 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS SEMICONDUCTOR Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-16P60P-Datasheet.PDF?assetguid=A77013E2-E6CF-4AB2-A85B-2F133B071255 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
directShipCharge: 25
auf Bestellung 300 Stücke:
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7+40.23 EUR
11+23.06 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IXTT16P60P littelfusediscretemosfetspchannelixt16p60pdatasheet.pdf
IXTT16P60P
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
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IXTT16P60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-16P60P-Datasheet.PDF?assetguid=A77013E2-E6CF-4AB2-A85B-2F133B071255
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
directShipCharge: 25
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