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IXTT16P60P

IXTT16P60P Littelfuse

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Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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Technische Details IXTT16P60P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460W, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm, directShipCharge: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTT16P60P IXTT16P60P Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt16p60pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXTT16P60P IXTT16P60P Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt16p60pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXTT16P60P IXTT16P60P Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt16p60pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXTT16P60P IXTT16P60P Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-16P60P-Datasheet.PDF?assetguid=A77013E2-E6CF-4AB2-A85B-2F133B071255 Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
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IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS media-3322334.pdf MOSFETs -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
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IXTT16P60P IXTT16P60P Ixys Corporation littelfusediscretemosfetspchannelixt16p60pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXTT16P60P IXTT16P60P IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
directShipCharge: 25
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Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXTT16P60P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-16P60P-Datasheet.PDF?assetguid=A77013E2-E6CF-4AB2-A85B-2F133B071255
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Hersteller: Littelfuse Inc.
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Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
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MOSFETs -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
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Trans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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IXTT16P60P
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTT16P60P - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-268
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
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