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IXTT1N300P3HV

IXTT1N300P3HV IXYS

media-3321865.pdf Hersteller: IXYS
MOSFET MSFT N-CH STD-POLAR3
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Technische Details IXTT1N300P3HV IXYS

Description: MOSFET N-CH 3000V 1A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 25 V.

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IXTT1N300P3HV IXTT1N300P3HV Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 3000V 1A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXTT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 25 V
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IXTT1N300P3HV IXTT1N300P3HV Hersteller : Littelfuse e_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 3KV 1A
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IXTT1N300P3HV Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_1n300p3hv_datasheet.pdf.pdf IXTT1N300P3HV SMD N channel transistors
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