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Technische Details IXTT360N055T2 IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 360A; 935W; TO268; 78ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 55V, Drain current: 360A, Power dissipation: 935W, Case: TO268, On-state resistance: 2.4mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 330nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Reverse recovery time: 78ns.
Weitere Produktangebote IXTT360N055T2 nach Preis ab 17.23 EUR bis 29.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IXTT360N055T2 | IXYS |
 MOSFETs 360Amps 55V |
auf Bestellung 287 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXTT360N055T2 |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs 360Amps 55V
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