IXTT50P10 IXYS
Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
Drain current: -50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 55mΩ
Reverse recovery time: 180ns
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 12.82 EUR |
| 8+ | 11.33 EUR |
| 10+ | 10.17 EUR |
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Technische Details IXTT50P10 IXYS
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns, Mounting: SMD, Power dissipation: 300W, Gate charge: 0.14µC, Polarisation: unipolar, Drain current: -50A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -100V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: tube, Case: TO268, On-state resistance: 55mΩ, Reverse recovery time: 180ns.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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IXTT50P10 | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO-268 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 30 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IXTT50P10 | IXYS |
MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXTT50P10 |
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Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH
| IXTT50P10 |
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Hersteller: IXYS
MOSFETs -50 Amps -100V 0.055 Rds
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