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IXTT50P10

IXTT50P10 Littelfuse

lfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_50p10_datasheet.pdf.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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Technische Details IXTT50P10 Littelfuse

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns, Reverse recovery time: 180ns, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -50A, On-state resistance: 55mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 300W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 0.14µC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: TO268, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTT50P10 IXTT50P10 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA07D75C831B8BF&compId=IXT_50P10.pdf?ci_sign=cc953308140627b6febcf9593e82ba0797b12d8b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXTT50P10 IXTT50P10 Hersteller : IXYS DS98905E(IXTH-T50P10).pdf Description: MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Reverse recovery time: 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
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