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IXTT50P10

IXTT50P10 IXYS

IXT_50P10.pdf Hersteller: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+10.47 EUR
10+9.4 EUR
30+8.77 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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Technische Details IXTT50P10 IXYS

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -50A, Power dissipation: 300W, Case: TO268, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 55mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 0.14µC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 180ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTT50P10 IXTT50P10 Hersteller : IXYS IXT_50P10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
Power dissipation: 300W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 180ns
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IXTT50P10 IXTT50P10 Hersteller : Littelfuse lfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_50p10_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 100V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-268
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