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IXTT88N30P

IXTT88N30P Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_88n30p_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
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Technische Details IXTT88N30P Littelfuse Inc.

Description: LITTELFUSE - IXTT88N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 88 A, 0.04 ohm, TO-268 (D3PAK), Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300, Dauer-Drainstrom Id: 88, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 600, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 600, Bauform - Transistor: TO-268 (D3PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: Produktreihe PolarHT, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTT88N30P IXTT88N30P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_88N30P_Datasheet.PDF MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
auf Bestellung 1163 Stücke:
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IXTT88N30P IXTT88N30P IXYS IXTH88N30P-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO268
Power dissipation: 600W
Gate charge: 180nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 88A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: SMD
auf Bestellung 140 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXTT88N30P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_88N30P_Datasheet.PDF
IXTT88N30P
Hersteller: IXYS
MOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
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IXTT88N30P
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 88A; 600W; TO268
Power dissipation: 600W
Gate charge: 180nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 88A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: SMD
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