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IXTX120P20T

IXTX120P20T IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p20t_datasheet.pdf?assetguid=67b5be5e-bc83-47b6-b9a2-f0699eb6249e
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V
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Technische Details IXTX120P20T IXYS

Description: MOSFET P-CH 200V 120A PLUS247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 60A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 740 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73000 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTX120P20T IXTX120P20T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-120P20T-Datasheet.PDF MOSFETs TrenchP Power MOSFETs
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IXTX120P20T IXTX120P20T IXYS IXT_120P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 740nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXTX120P20T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-120P20T-Datasheet.PDF
IXTX120P20T
Hersteller: IXYS
MOSFETs TrenchP Power MOSFETs
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IXTX120P20T
Hersteller: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -120A; 1040W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -120A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 740nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
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