IXTX200N10L2 LITTELFUSE
Hersteller: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTX200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, PLUS247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
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Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
auf Bestellung 19 Stücke:
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Technische Details IXTX200N10L2 LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTX200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, PLUS247, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.04kW, Bauform - Transistor: PLUS247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: LinearL2 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
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Description: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: PLUS247™-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V |
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