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IXTX32P60P IXYS
Hersteller: IXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
auf Bestellung 664 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 33.16 EUR |
| 30+ | 27.49 EUR |
| 120+ | 25.77 EUR |
| 510+ | 21.99 EUR |
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Technische Details IXTX32P60P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: PLUS247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm.
Weitere Produktangebote IXTX32P60P nach Preis ab 26.63 EUR bis 33.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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IXTX32P60P | Hersteller : IXYS |
MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds |
auf Bestellung 973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXTX32P60P | Hersteller : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTX32P60P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 32 A, 0.35 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: PLUS247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm |
auf Bestellung 131 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTX32P60P | Hersteller : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; 480ns Reverse recovery time: 480ns Drain-source voltage: -600V Drain current: -32A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 196nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PLUS247™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTX32P60P | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTX32P60P | Hersteller : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; 480ns Reverse recovery time: 480ns Drain-source voltage: -600V Drain current: -32A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 890W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 196nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: PLUS247™ |
Produkt ist nicht verfügbar |