IXTY08N100D2 IXYS
Hersteller: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 0.8A
Power dissipation: 60W
Case: TO252
On-state resistance: 21Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 325nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 210 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 17+ | 4.30 EUR |
| 19+ | 3.88 EUR |
| 24+ | 3.10 EUR |
| 25+ | 2.93 EUR |
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Technische Details IXTY08N100D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTY08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 800mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXTY08N100D2 nach Preis ab 2.93 EUR bis 6.90 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IXTY08N100D2 | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 0.8A; 60W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 0.8A Power dissipation: 60W Case: TO252 On-state resistance: 21Ω Mounting: SMD Gate charge: 325nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion |
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IXTY08N100D2 | Hersteller : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 210 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTY08N100D2 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs 8mAmps 1000V |
auf Bestellung 4678 Stücke: Lieferzeit 617-621 Tag (e) |
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IXTY08N100D2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTY08N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 800 mA, 21 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 800mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 21ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTY08N100D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTY08N100D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 0.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXTY08N100D2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 400mA, 0V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 25 V |
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