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IXTY10P15T

IXTY10P15T IXYS

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Hersteller: IXYS
MOSFETs TrenchP Power MOSFET
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Technische Details IXTY10P15T IXYS

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO252, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchP™, Power dissipation: 83W, Case: TO252, Mounting: SMD, Gate charge: 36nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -150V, Drain current: -10A, Gate-source voltage: ±15V, Reverse recovery time: 120ns, On-state resistance: 0.35Ω.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTY10P15T IXTY10P15T IXYS DS100290(IXTA-TP-TY10P15T).pdf Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
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IXTY10P15T IXTY10P15T IXYS IXT_10P15T.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Gate-source voltage: ±15V
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 0.35Ω
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IXTY10P15T DS100290(IXTA-TP-TY10P15T).pdf
IXTY10P15T
Hersteller: IXYS
Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO-252
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IXTY10P15T
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Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
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