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IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2 Littelfuse

sfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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Technische Details IXTY1R6N100D2 Littelfuse

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 1.6A, Power dissipation: 100W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 10Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 645nC, Kind of package: tube, Kind of channel: depletion, Reverse recovery time: 11ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 Littelfuse sfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 IXYS IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 645nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
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IXTY1R6N100D2
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Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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IXTY1R6N100D2
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO252; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
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On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 645nC
Kind of package: tube
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