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IXTY1R6N50D2

IXTY1R6N50D2 IXYS

IXTA(P,Y)1R6N50D2.pdf Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 400ns
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.40 EUR
25+2.86 EUR
27+2.70 EUR
50+2.62 EUR
70+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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Technische Details IXTY1R6N50D2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 Hersteller : IXYS IXTA(P,Y)1R6N50D2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+4.40 EUR
25+2.86 EUR
27+2.70 EUR
50+2.62 EUR
70+2.60 EUR
Mindestbestellmenge: 17
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IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 Hersteller : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n50-datasheet?assetguid=c560f67d-8a9d-4339-87e4-5b2881bb8dbd Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.07 EUR
70+3.34 EUR
140+3.09 EUR
560+2.76 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 Hersteller : IXYS media-3322896.pdf MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
auf Bestellung 76 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+6.46 EUR
10+5.61 EUR
25+3.84 EUR
70+3.52 EUR
280+3.45 EUR
1050+3.03 EUR
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IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
22+6.82 EUR
Mindestbestellmenge: 22
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IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007909298-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IXTY1R6N50D2 IXTY1R6N50D2 Hersteller : Littelfuse te-mosfets-n-channel-depletion-mode-ixt-1r6n50-datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
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