IXTY1R6N50D2 Littelfuse Inc.
Hersteller: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.22 EUR |
| 70+ | 3.97 EUR |
| 140+ | 3.68 EUR |
| 560+ | 3.28 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTY1R6N50D2 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXTY1R6N50D2 nach Preis ab 4.09 EUR bis 9.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1R6N50D2 | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IXTY1R6N50D2 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IXTY1R6N50D2 | IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A |
auf Bestellung 188 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| IXTY1R6N50D2 |
|
Hersteller: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK
auf Bestellung 348 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 8.03 EUR |
| IXTY1R6N50D2 |
|
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 298 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 29+ | 8.84 EUR |
| 52+ | 4.47 EUR |
| 100+ | 4.09 EUR |
| IXTY1R6N50D2 |
|
Hersteller: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
auf Bestellung 188 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.45 EUR |
| 10+ | 4.94 EUR |
| 70+ | 4.44 EUR |
| 560+ | 4.14 EUR |