IXTY1R6N50D2 IXYS
Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.6A; 100W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Case: TO252
Mounting: SMD
Gate charge: 23.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 1.6A
Gate-source voltage: ±20V
Reverse recovery time: 400ns
On-state resistance: 2.3Ω
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 16+ | 4.48 EUR |
| 21+ | 3.43 EUR |
| 25+ | 2.87 EUR |
| 30+ | 2.76 EUR |
| 50+ | 2.6 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXTY1R6N50D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IXTY1R6N50D2 nach Preis ab 2.76 EUR bis 6.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1R6N50D2 | Hersteller : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A |
auf Bestellung 336 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IXTY1R6N50D2 | Hersteller : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IXTY1R6N50D2 | Hersteller : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
auf Bestellung 348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IXTY1R6N50D2 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTY1R6N50D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 1.6 A, 2.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||
|
|
IXTY1R6N50D2 | Hersteller : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
Produkt ist nicht verfügbar |