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IXTY2N100P-TRL

IXTY2N100P-TRL IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_2N100P_Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
MOSFET Modules IXTY2N100P TRL
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Technische Details IXTY2N100P-TRL IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 2A; 86W; DPAK,TO252AA; 800ns, Mounting: SMD, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 20V, Case: DPAK; TO252AA, On-state resistance: 7.5Ω, Reverse recovery time: 800ns, Power dissipation: 86W, Gate charge: 24.3nC, Drain current: 2A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1kV.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXTY2N100P-TRL IXTY2N100P-TRL IXYS Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 2A; 86W; DPAK,TO252AA; 800ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 7.5Ω
Reverse recovery time: 800ns
Power dissipation: 86W
Gate charge: 24.3nC
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1kV
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IXTY2N100P-TRL
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Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 2A; 86W; DPAK,TO252AA; 800ns
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: DPAK; TO252AA
On-state resistance: 7.5Ω
Reverse recovery time: 800ns
Power dissipation: 86W
Gate charge: 24.3nC
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
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