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IXTY3N50P

IXTY3N50P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90549A006FBE27&compId=IXTA3N50P-DTE.pdf?ci_sign=6bd0ab0b4408c3a770d9f2f03b9068091a9c03b4 Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
104+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 104
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Technische Details IXTY3N50P IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Polar™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 3A, Power dissipation: 70W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 9.3nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 400ns, Kind of package: tube, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXTY3N50P IXTY3N50P Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF90549A006FBE27&compId=IXTA3N50P-DTE.pdf?ci_sign=6bd0ab0b4408c3a770d9f2f03b9068091a9c03b4 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Power dissipation: 70W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.3nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 400ns
Kind of package: tube
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