
IXTY3N50P IXYS

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3A
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 70W
Gate charge: 9.3nC
Technology: Polar™
Reverse recovery time: 400ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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104+ | 0.69 EUR |
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Technische Details IXTY3N50P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 3A, Case: TO252, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2Ω, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Power dissipation: 70W, Gate charge: 9.3nC, Technology: Polar™, Reverse recovery time: 400ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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IXTY3N50P | Hersteller : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 3A; 70W; TO252; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 70W Gate charge: 9.3nC Technology: Polar™ Reverse recovery time: 400ns |
auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IXTY3N50P | Hersteller : IXYS |
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