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IXXH150N60C3

IXXH150N60C3 IXYS

IXXH150N60C3.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
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Technische Details IXXH150N60C3 IXYS

Description: IGBT 600V TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A, Supplier Device Package: TO-247AD, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns, Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.8mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 200 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A, Power - Max: 1360 W.

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IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 Hersteller : IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
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IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh150n60c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 1360 W
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IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 Hersteller : IXYS media-3323158.pdf IGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
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IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh150n60c3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW
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