Technische Details IXXH40N65C4D1 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX4™; Trench; XPT™, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 40A, Power dissipation: 455W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 215A, Mounting: THT, Gate charge: 68nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 71ns, Turn-off time: 142ns, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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IXXH40N65C4D1 | Hersteller : IXYS |
 Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 455W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 215A Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Turn-on time: 71ns Turn-off time: 142ns Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IXXH40N65C4D1 | Hersteller : IXYS |
IGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD |
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IXXH40N65C4D1 | Hersteller : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 40A; 455W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 455W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 215A Mounting: THT Gate charge: 68nC Kind of package: tube Turn-on time: 71ns Turn-off time: 142ns |
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