Produkte > IXYS > IXXH60N65B4
IXXH60N65B4

IXXH60N65B4 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9B02C1EEBB820&compId=IXXH60N65B4.pdf?ci_sign=a8031f26dadaab9cb288a0d9006d6deb1d61fc37 Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 43 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.12 EUR
11+6.55 EUR
12+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXXH60N65B4 IXYS

Description: IGBT PT 650V 116A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns, Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 95 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 116 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A, Power - Max: 455 W.

Weitere Produktangebote IXXH60N65B4 nach Preis ab 5.21 EUR bis 9.89 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9B02C1EEBB820&compId=IXXH60N65B4.pdf?ci_sign=a8031f26dadaab9cb288a0d9006d6deb1d61fc37 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Collector-emitter voltage: 650V
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 265A
Turn-on time: 94ns
Turn-off time: 208ns
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 536W
Kind of package: tube
Gate charge: 86nC
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Mounting: THT
Case: TO247-3
auf Bestellung 43 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.12 EUR
11+6.55 EUR
12+6.19 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 Hersteller : IXYS media-3322984.pdf IGBTs 650V/116A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+9.89 EUR
10+9.61 EUR
30+6.51 EUR
120+5.65 EUR
510+5.32 EUR
1020+5.21 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXH60N65B4 IXXH60N65B4 Hersteller : IXYS Description: IGBT PT 650V 116A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/145ns
Switching Energy: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 116 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A
Power - Max: 455 W
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH