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IXXH80N65B4

IXXH80N65B4 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9E035A3E93820&compId=IXXH80N65B4.pdf?ci_sign=87dde9e4c61408c192916628afc8e7dc723e51a1 Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+9.65 EUR
10+7.86 EUR
30+6.08 EUR
120+5.81 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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Technische Details IXXH80N65B4 IXYS

Description: IGBT PT 650V 160A TO-247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns, Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off), Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 120 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A, Power - Max: 625 W.

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IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9E035A3E93820&compId=IXXH80N65B4.pdf?ci_sign=87dde9e4c61408c192916628afc8e7dc723e51a1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 80A; 625W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 625W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 222ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 80A
Pulsed collector current: 430A
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IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXXH80N65B4_Datasheet.PDF IGBTs 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 Hersteller : IXYS ds100527b%28ixxh80n65b4%29.pdf Description: IGBT PT 650V 160A TO-247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/120ns
Switching Energy: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 430 A
Power - Max: 625 W
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IXXH80N65B4 IXXH80N65B4 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXXH80N65B4 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh80n65b4_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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