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Technische Details IXXK200N65B4 IXYS
Description: IGBT 650V 370A 1150W TO264, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A, Supplier Device Package: TO-264 (IXXK), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns, Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off), Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 553 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 370 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A, Power - Max: 1150 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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 Trans IGBT Chip N-CH 650V 370A 1150000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 |
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IXXK200N65B4 THT IGBT transistors |
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IXXK200N65B4 | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 650V 370A 1150W TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 160A Supplier Device Package: TO-264 (IXXK) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 62ns/245ns Switching Energy: 4.4mJ (on), 2.2mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 1Ohm, 15V Gate Charge: 553 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 370 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 1000 A Power - Max: 1150 W |
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