Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IXXN110N65C4H1 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXXN110N65C4H1 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 210A, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Panel, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V, IGBT-Anschluss: Tab, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V, Verlustleistung Pd: 750W, Verlustleistung: 750W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 210A, Produktpalette: XPT GenX4 Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Single, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 210A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, directShipCharge: 25.
Weitere Produktangebote IXXN110N65C4H1 nach Preis ab 39.9 EUR bis 73.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXXN110N65C4H1 | IXYS |
 Description: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT-227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B IGBT Type: PT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 210 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 750 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.69 nF @ 25 V |
auf Bestellung 568 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
IXXN110N65C4H1 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXXN110N65C4H1 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 210A, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Panel euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V IGBT-Anschluss: Tab Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V Verlustleistung Pd: 750W Verlustleistung: 750W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 210A Produktpalette: XPT GenX4 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Single productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 210A Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| IXXN110N65C4H1 |
|
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.69 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 650V 210A 750W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 110A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 750 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.69 nF @ 25 V
auf Bestellung 568 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 65.81 EUR |
| 10+ | 48.62 EUR |
| 100+ | 40.31 EUR |
| IXXN110N65C4H1 |
|
Hersteller: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXXN110N65C4H1 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 210A, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V
IGBT-Anschluss: Tab
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V
Verlustleistung Pd: 750W
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 210A
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 210A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
Description: LITTELFUSE - IXXN110N65C4H1 - TRANSISTOR, IGBT, 650V, 210A, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Panel
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.06V
IGBT-Anschluss: Tab
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.06V
Verlustleistung Pd: 750W
Verlustleistung: 750W
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 210A
Produktpalette: XPT GenX4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Single
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 210A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 73.82 EUR |
| 5+ | 59.43 EUR |
| 10+ | 46.43 EUR |
| 25+ | 43.19 EUR |
| 100+ | 39.9 EUR |