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Technische Details IXXR110N65B4H1 IXYS
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 455W, Case: PLUS247™, Mounting: THT, Gate charge: 183nC, Turn-on time: 65ns, Kind of package: tube, Turn-off time: 250ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 70A, Collector-emitter voltage: 650V, Technology: GenX4™; Trench; XPT™, Pulsed collector current: 490A.
Weitere Produktangebote IXXR110N65B4H1 nach Preis ab 63.33 EUR bis 63.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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IXXR110N65B4H1 | IXYS |
 Description: IGBT PT 650V 150A ISOPLUS247 |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IXXR110N65B4H1 |
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Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 650V 150A ISOPLUS247
Description: IGBT PT 650V 150A ISOPLUS247
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