Produkte > IXYS > IXXR110N65B4H1
IXXR110N65B4H1

IXXR110N65B4H1 IXYS


media-3320866.pdf Hersteller: IXYS
IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
auf Bestellung 540 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+34.23 EUR
10+ 32.63 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXXR110N65B4H1 IXYS

Description: IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 110A, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns, Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off), Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Gate Charge: 183 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A, Power - Max: 455 W.

Weitere Produktangebote IXXR110N65B4H1 nach Preis ab 34.46 EUR bis 34.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxr110n65b4h1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 110A
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 38ns/156ns
Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off)
Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 183 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 460 A
Power - Max: 455 W
auf Bestellung 28 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+34.46 EUR
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
Produkt ist nicht verfügbar
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 Hersteller : IXYS IXXR110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 Hersteller : IXYS IXXR110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 70A
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 490A
Mounting: THT
Gate charge: 183nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 65ns
Turn-off time: 250ns
Produkt ist nicht verfügbar