Produkte > IXYS > IXXR110N65B4H1
IXXR110N65B4H1

IXXR110N65B4H1 IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixxr110n65b4h1-datasheet?assetguid=39b5b664-4108-4d30-a4e5-551615b43c2b
Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 650V 150A ISOPLUS247
auf Bestellung 5 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+58.25 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXXR110N65B4H1 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX4™; Trench; XPT™, Power dissipation: 455W, Case: PLUS247™, Mounting: THT, Kind of package: tube, Turn-off time: 250ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 70A, Collector-emitter voltage: 650V, Gate charge: 183nC, Pulsed collector current: 490A, Turn-on time: 65ns.

Weitere Produktangebote IXXR110N65B4H1

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxr110n65b4h1_datasheet.pdf IGBTs 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1 IXYS IXXR110N65B4H1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 250ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR110N65B4H1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxr110n65b4h1_datasheet.pdf
IXXR110N65B4H1
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IXXR110N65B4H1 IXXR110N65B4H1.pdf
IXXR110N65B4H1
Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX4™; Trench; XPT™
Power dissipation: 455W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-off time: 250ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 70A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 183nC
Pulsed collector current: 490A
Turn-on time: 65ns
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH