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IXYA20N65C3

IXYA20N65C3 IXYS

Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_20N65C3_Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IGBTs TO263 650V 20A XPT
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Technische Details IXYA20N65C3 IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 20A, Power dissipation: 230W, Case: TO263, Gate-emitter voltage: ±20V, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 105A, Turn-on time: 51ns, Turn-off time: 132ns, Gate charge: 30nC.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYA20N65C3 IXYA20N65C3 IXYS IXYA(H)20N65C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
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IXYA20N65C3 IXYA(H)20N65C3.pdf
IXYA20N65C3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate charge: 30nC
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