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IXYA20N65C3

IXYA20N65C3 IXYS

littelfuse-discrete-igbts-ixy-20n65c3-datasheet?assetguid=3b358faf-e927-45eb-bcf4-0c8e79ff0e79
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 650V 20A TO-263AA
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Technische Details IXYA20N65C3 IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, Power dissipation: 230W, Case: TO263, Mounting: SMD, Kind of package: tube, Pulsed collector current: 105A, Turn-on time: 51ns, Turn-off time: 132ns, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 20A, Collector-emitter voltage: 650V, Gate charge: 30nC.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYA20N65C3 IXYA20N65C3 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_20N65C3_Datasheet.PDF IGBTs TO263 650V 20A XPT
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IXYA20N65C3 IXYA20N65C3 IXYS IXYA(H)20N65C3.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
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IXYA20N65C3 Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_20N65C3_Datasheet.PDF
IXYA20N65C3
Hersteller: IXYS
IGBTs TO263 650V 20A XPT
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IXYA20N65C3
Hersteller: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 105A
Turn-on time: 51ns
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Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 20A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 30nC
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