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IXyH100N65C3

IXyH100N65C3 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9FE9B182D9820&compId=IXYH100N65C3.pdf?ci_sign=69e3af69d2cb14ebc6509d3947bbc7d28a48c48b Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO247-3
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6+12.33 EUR
7+11.41 EUR
10+10.88 EUR
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Technische Details IXyH100N65C3 IXYS

Description: IGBT PT 650V 200A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns, Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 164 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A, Power - Max: 830 W.

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IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99DA9FE9B182D9820&compId=IXYH100N65C3.pdf?ci_sign=69e3af69d2cb14ebc6509d3947bbc7d28a48c48b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; TO247-3
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Type of transistor: IGBT
Kind of package: tube
Mounting: THT
Turn-on time: 62ns
Gate charge: 172nC
Turn-off time: 200ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 830W
Collector current: 100A
Pulsed collector current: 420A
Collector-emitter voltage: 650V
Case: TO247-3
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
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IXYH100N65C3 IXYH100N65C3 Hersteller : Ixys Corporation media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 Hersteller : IXYS DS100561BIXYH100N65C3.pdf Description: IGBT PT 650V 200A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/106ns
Switching Energy: 2.15mJ (on), 840µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 420 A
Power - Max: 830 W
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IXYH100N65C3 IXYH100N65C3 Hersteller : Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh100n65c3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 830000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXYH100N65C3 IXYH100N65C3 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 830W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXyH100N65C3 IXyH100N65C3 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYH100N65C3_Datasheet.PDF IGBTs 650V/200A XPT C3-Class TO-247
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