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IXYH30N65C3H1

IXYH30N65C3H1 Littelfuse


ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n65c3h1_datasheet.pdf.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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Technische Details IXYH30N65C3H1 Littelfuse

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 30A, Power dissipation: 270W, Case: TO247-3, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 118A, Mounting: THT, Gate charge: 44nC, Kind of package: tube, Turn-on time: 59ns, Turn-off time: 0.12µs, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXYH30N65C3H1 IXYH30N65C3H1 Hersteller : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n65c3h1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXYH30N65C3H1 Hersteller : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n65c3h1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 270000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IXYH30N65C3H1 IXYH30N65C3H1 Hersteller : IXYS IXY_30N65C3H1_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 118A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IXYH30N65C3H1 IXYH30N65C3H1 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n65c3h1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 650V 60A 270W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
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IXYH30N65C3H1 IXYH30N65C3H1 Hersteller : IXYS media-3321467.pdf IGBT Transistors 650V/60A XPT C3 Copacked TO-247
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IXYH30N65C3H1 IXYH30N65C3H1 Hersteller : IXYS IXY_30N65C3H1_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 118A
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
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