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IXYH30N65C3H1

IXYH30N65C3H1 IXYS

littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n65c3h1_datasheet.pdf.pdf
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 650V 60A 270W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/75ns
Switching Energy: 1mJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
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Technische Details IXYH30N65C3H1 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™, Power dissipation: 270W, Case: TO247-3, Mounting: THT, Gate charge: 44nC, Kind of package: tube, Collector current: 30A, Collector-emitter voltage: 650V, Pulsed collector current: 118A, Turn-on time: 59ns, Turn-off time: 0.12µs, Gate-emitter voltage: ±20V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYH30N65C3H1 IXYH30N65C3H1 IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_30N65C3H1_Datasheet.PDF IGBTs 650V/60A XPT C3 Copacked TO-247
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IXYH30N65C3H1 IXYH30N65C3H1 IXYS IXY_30N65C3H1_HV.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
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IXYH30N65C3H1 IXYH30N65C3H1 Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n65c3h1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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IGBTs 650V/60A XPT C3 Copacked TO-247
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Hersteller: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 118A
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Gate-emitter voltage: ±20V
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Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 270W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
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