| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 73.77 EUR |
| 10+ | 67.48 EUR |
| 100+ | 66.16 EUR |
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Technische Details IXYN100N120C3H1 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V, Verlustleistung Pd: 690W, Verlustleistung: 690W, SVHC: Lead (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 134A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: XPT GenX3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 134A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote IXYN100N120C3H1 nach Preis ab 54.45 EUR bis 83.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IXYN100N120C3H1 | IXYS |
Description: IGBT MODULE 1200V 134A SOT-227BPackaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227B Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 134 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 690 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V |
auf Bestellung 1063 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IXYN100N120C3H1 | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227BtariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V Verlustleistung Pd: 690W Verlustleistung: 690W SVHC: Lead (17-Jan-2023) Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 134A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: XPT GenX3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 134A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 198 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IXYN100N120C3H1 |
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Hersteller: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 134A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 134A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
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| 10+ | 62.61 EUR |
| 100+ | 54.45 EUR |
| IXYN100N120C3H1 |
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Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V
Verlustleistung Pd: 690W
Verlustleistung: 690W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 134A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 134A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V
Verlustleistung Pd: 690W
Verlustleistung: 690W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 134A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 134A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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