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IXYN100N120C3H1

IXYN100N120C3H1 IXYS

Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXYN100N120C3H1_Datasheet.PDF
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT 1200V IGBT GenX3 XPT IGBT
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Technische Details IXYN100N120C3H1 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V, Verlustleistung Pd: 690W, Verlustleistung: 690W, SVHC: Lead (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 134A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: XPT GenX3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 134A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYN100N120C3H1 IXYN100N120C3H1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=C505E71C-4629-4522-A8AF-31FFF9F31B51&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYN100N120C3H1-Datasheet.PDF Description: IGBT MODULE 1200V 134A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
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IXYN100N120C3H1 IXYN100N120C3H1 IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0005444546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V
Verlustleistung Pd: 690W
Verlustleistung: 690W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 134A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 134A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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3+101.64 EUR
5+82.59 EUR
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50+61.09 EUR
100+56.82 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IXYN100N120C3H1 media?resourcetype=datasheets&itemid=C505E71C-4629-4522-A8AF-31FFF9F31B51&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYN100N120C3H1-Datasheet.PDF
IXYN100N120C3H1
Hersteller: IXYS
Description: IGBT MODULE 1200V 134A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 134 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 690 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6 nF @ 25 V
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IXYN100N120C3H1 IXYS-S-A0005444546-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXYN100N120C3H1
Hersteller: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXYN100N120C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 134 A, 3.5 V, 690 W, 150 °C, SOT-227B
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: IGBT 3 High-Speed
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5V
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.5V
Verlustleistung Pd: 690W
Verlustleistung: 690W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-227B
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 134A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: XPT GenX3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 134A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 136 Stücke:
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