IXYN100N65C3H1 IXYS
Hersteller: IXYSDescription: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 70A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 166 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 600 W
Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.98 nF @ 25 V
auf Bestellung 107 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 46.46 EUR |
| 10+ | 34.13 EUR |
| 100+ | 29.45 EUR |
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Technische Details IXYN100N65C3H1 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXYN100N65C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: -, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: 600W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Bauform - Transistor: SOT-227B, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 160A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 160A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXYN100N65C3H1 | Hersteller : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXYN100N65C3H1 - IGBT-Modul, Einfach, 160 A, 1.8 V, 600 W, 175 °C, SOT-227B tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: - Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V Verlustleistung Pd: 600W euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: SOT-227B Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 160A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Einfach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 160A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 290 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 600W 4-Pin SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXYN100N65C3H1 | Hersteller : IXYS |
IGBTs 650V/166A XPT Copacked SOT-227B |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IXYN100N65C3H1 | Hersteller : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 650V; Ic: 90A; SOT227B; 600W Technology: GenX3™; XPT™ Power dissipation: 600W Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Electrical mounting: screw Collector current: 90A Type of semiconductor module: IGBT Pulsed collector current: 420A Max. off-state voltage: 650V |
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