Produkte > IXYS > IXYN50N170CV1
IXYN50N170CV1

IXYN50N170CV1 IXYS


media-3320798.pdf Hersteller: IXYS
IGBT Transistors 1700V/120A High Volt
auf Bestellung 117 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+90.11 EUR
10+ 81.93 EUR
100+ 73.74 EUR
200+ 72.44 EUR
500+ 72.14 EUR
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IXYN50N170CV1 IXYS

Description: IGBT 1700V 120A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 255 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: SOT-227B, Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns, Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off), Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V, Gate Charge: 260 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A, Power - Max: 880 W.

Weitere Produktangebote IXYN50N170CV1 nach Preis ab 74.24 EUR bis 90.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyn50n170cv1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 1700V 120A SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 255 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: SOT-227B
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/236ns
Switching Energy: 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Test Condition: 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Gate Charge: 260 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 485 A
Power - Max: 880 W
auf Bestellung 256 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+90.73 EUR
10+ 82.49 EUR
100+ 74.24 EUR
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1 Hersteller : IXYS IXYN50N170CV1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 485A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: XPT™
Power dissipation: 880W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
IXYN50N170CV1 IXYN50N170CV1 Hersteller : IXYS IXYN50N170CV1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.7kV; Ic: 50A; SOT227B
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 485A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: XPT™
Power dissipation: 880W
Case: SOT227B
Max. off-state voltage: 1.7kV
Semiconductor structure: single transistor
Produkt ist nicht verfügbar