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IXYP20N65B3D1

IXYP20N65B3D1 IXYS

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Hersteller: IXYS
Description: IGBT PT 650V 58A TO-220
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Technische Details IXYP20N65B3D1 IXYS

Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; XPT™, Power dissipation: 230W, Case: TO220-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Collector current: 20A, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 108A, Collector-emitter voltage: 650V, Turn-on time: 39ns, Gate charge: 29nC, Turn-off time: 271ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=78B3E9DC-6946-4B8D-A2C0-EB8B9168DE3B&filename=Littelfuse-Discrete-IGBTs-XPT-IXYP20N65B3D1-Datasheet.PDF IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
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IXYP20N65B3D1 IXYP20N65B3D1 IXYS IXYP20N65B3D1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 39ns
Gate charge: 29nC
Turn-off time: 271ns
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IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
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Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 230W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 230W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 108A
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