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IXYP20N65C3D1

IXYP20N65C3D1 Littelfuse

media.pdf Hersteller: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Technische Details IXYP20N65C3D1 Littelfuse

Description: IGBT PT 650V 50A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 135 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-220-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns, Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V, Gate Charge: 30 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A, Power - Max: 200 W.

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IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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21+3.43 EUR
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IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Hersteller : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE992CA190856D398BF&compId=IXY_20N65C3D1.pdf?ci_sign=fe6215c9611b11121eb070e7e1585269872ac75f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 51ns
Gate charge: 30nC
Turn-off time: 132ns
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IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Hersteller : IXYS DS100576CIXYAYP20N65C3D1.pdf Description: IGBT PT 650V 50A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 135 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-220-3
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/80ns
Switching Energy: 430µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 30 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A
Power - Max: 200 W
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IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Hersteller : IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_20N65C3D1_Datasheet.PDF IGBTs Disc IGBT XPT-GenX3 TO-220AB/FP
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IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Hersteller : Littelfuse ittelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_20n65c3d1_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Hersteller : LITTELFUSE LFSI-S-A0007910728-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXYP20N65C3D1 - IGBT, 50 A, 2.27 V, 200 W, 650 V, TO-220AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.27V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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IXYP20N65C3D1 IXYP20N65C3D1 Hersteller : Littelfuse media.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200W 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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