IXYT30N65C3H1HV IXYS
Hersteller: IXYSCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Pulsed collector current: 118A
Collector current: 30A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Technische Details IXYT30N65C3H1HV IXYS
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™, Power dissipation: 270W, Case: TO268HV, Mounting: SMD, Gate charge: 44nC, Kind of package: tube, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector-emitter voltage: 650V, Turn-on time: 59ns, Turn-off time: 0.12µs, Pulsed collector current: 118A, Collector current: 30A, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IXYT30N65C3H1HV | Hersteller : IXYS |
Description: IGBT 650V 60A 270W TO268HV |
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IXYT30N65C3H1HV | Hersteller : IXYS |
IGBTs 650V/60A XPT Copacked TO-268HV |
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| IXYT30N65C3H1HV | Hersteller : IXYS |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™ Power dissipation: 270W Case: TO268HV Mounting: SMD Gate charge: 44nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 650V Turn-on time: 59ns Turn-off time: 0.12µs Pulsed collector current: 118A Collector current: 30A |
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