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IXYT30N65C3H1HV

IXYT30N65C3H1HV IXYS

DS100545A(IXYT-H30N65C3H1_HV).pdf
Hersteller: IXYS
Description: IGBT 650V 60A 270W TO268HV
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Technische Details IXYT30N65C3H1HV IXYS

Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV, Type of transistor: IGBT, Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™, Power dissipation: 270W, Case: TO268HV, Mounting: SMD, Gate charge: 44nC, Kind of package: tube, Collector current: 30A, Collector-emitter voltage: 650V, Pulsed collector current: 118A, Turn-on time: 59ns, Turn-off time: 0.12µs, Gate-emitter voltage: ±20V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IXYT30N65C3H1HV IXYT30N65C3H1HV IXYS Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_30N65C3H1_Datasheet.PDF IGBTs 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
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IXYT30N65C3H1HV IXYS IXY_30N65C3H1_HV.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 118A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 0.12µs
Gate-emitter voltage: ±20V
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IXYT30N65C3H1HV Littelfuse_Discrete_IGBTs_XPT_IXY_30N65C3H1_Datasheet.PDF
IXYT30N65C3H1HV
Hersteller: IXYS
IGBTs 650V/60A XPT Copacked TO-268HV
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Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; Sonic FRD™; XPT™
Power dissipation: 270W
Case: TO268HV
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 650V
Pulsed collector current: 118A
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