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IXYX110N120C4

IXYX110N120C4 IXYS

littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyx110n120c4_datasheet.pdf
Hersteller: IXYS
IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT PLUS247
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Technische Details IXYX110N120C4 IXYS

Description: IGBT 1200V 310A PLUS247, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Package / Case: TO-247-3 Variant, Packaging: Tube, Mounting Type: Through Hole, Power - Max: 1360 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 740 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 310 A, Part Status: Active, Gate Charge: 330 nC, Test Condition: 600V, 50A, 2Ohm, 15V, Switching Energy: 3.6mJ (on), 1.9mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 40ns/320ns, Supplier Device Package: PLUS247™-3, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 110A, Reverse Recovery Time (trr): 48 ns.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IXYX110N120C4 IXYX110N120C4 Hersteller : LITTELFUSE 3929851.pdf Description: LITTELFUSE - IXYX110N120C4 - IGBT, 310 A, 1.9 V, 1.36 kW, 1.2 kV, PLUS247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.36kW
Bauform - Transistor: PLUS247
Dauerkollektorstrom: 310A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XPT Gen 4 Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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