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Technische Details J111 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - J111 - JFET-Transistor, 35 V, 20 mA, TO-92, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 35V, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3 Pins, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 35V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote J111 nach Preis ab 0.1 EUR bis 13.82 EUR
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J111 Produktcode: 121710
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J111 | Hersteller : ON Semiconductor |
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J111 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA Mounting: THT Type of transistor: N-JFET Case: TO92 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -35V Drain current: 20mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.625W On-state resistance: 30Ω Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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J111 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA Mounting: THT Type of transistor: N-JFET Case: TO92 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -35V Drain current: 20mA Gate current: 50mA Power dissipation: 0.625W On-state resistance: 30Ω Kind of package: bulk |
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J111 | Hersteller : ON Semiconductor |
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J111 | Hersteller : ON Semiconductor |
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J111 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Power - Max: 625 mW Resistance - RDS(On): 30 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V |
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J111 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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J111 | Hersteller : InterFET |
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J111 | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 35V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Pins Anzahl der Pins: 3Pin(s) Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 35V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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J111 Produktcode: 164009
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J111 | Hersteller : ON Semiconductor |
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J111 | Hersteller : ON Semiconductor |
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J111 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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