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J111

J111 ON Semiconductor

mmbfj113-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details J111 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - J111 - JFET-Transistor, 35 V, 20 mA, TO-92, 3 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 35V, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3 Pins, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 35V, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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J111
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J111 J111 Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49F8B7D2AD995F5EA&compId=J111.pdf?ci_sign=23158dcca2e47f7ef2d19b8846e159bbca0e7d3b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 30Ω
Case: TO92
Kind of package: bulk
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Mounting: THT
Type of transistor: N-JFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -35V
Drain current: 20mA
Gate current: 50mA
Power dissipation: 0.625W
On-state resistance: 30Ω
Case: TO92
Kind of package: bulk
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J111 J111 Hersteller : onsemi / Fairchild 5C0EC4AD004BB7F01B8CFEB2D518D854BDC301C84E79C6FD4AB842708D02C023.pdf JFETs N-Channel Switch
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J111 J111 Hersteller : onsemi MMBFJ113-D.PDF Description: JFET N-CH 35V TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Power - Max: 625 mW
Resistance - RDS(On): 30 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 3 V @ 1 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V
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J111 J111 Hersteller : InterFET jfet-j111-j112-j113a-interfet.pdf JFETs JFET N-Channel -35V Low Noise
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J111 J111 Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775431-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - J111 - JFET-Transistor, 35 V, 20 mA, TO-92, 3 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 35V
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 20mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3 Pins
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 35V
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Produktcode: 164009
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J111 Hersteller : Vishay / Siliconix MMBFJ113-D.PDF JFETs 55V 20mA
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